onsemi NCV Type N, Type P-Channel MOSFET, 65 V Dual, 8-Pin SOIC-8 NCV8406DD1CR2G
- RS Stock No.:
- 327-795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NCV8406DD1CR2G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ม้วน ม้วนละ 10 ชิ้น)*
THB317.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB339.91
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 06 เมษายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | THB31.767 | THB317.67 |
| 100 - 240 | THB30.183 | THB301.83 |
| 250 - 490 | THB27.957 | THB279.57 |
| 500 - 990 | THB25.73 | THB257.30 |
| 1000 + | THB24.79 | THB247.90 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 327-795
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NCV8406DD1CR2G
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N, Type P | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 65V | |
| Package Type | SOIC-8 | |
| Series | NCV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 210mΩ | |
| Channel Mode | Dual | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.2W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 14 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 4 mm | |
| Standards/Approvals | RoHS, Pb-Free | |
| Height | 1.75mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N, Type P | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 65V | ||
Package Type SOIC-8 | ||
Series NCV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 210mΩ | ||
Channel Mode Dual | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.2W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 14 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 4 mm | ||
Standards/Approvals RoHS, Pb-Free | ||
Height 1.75mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
The ON Semiconductor Dual protected Low-Side Smart Discrete device offers comprehensive protection features, including overcurrent, over temperature, ESD, and integrated Drain-to-Gate clamping for overvoltage protection. It is designed for reliable performance in harsh automotive environments.
Short Circuit Protection
Thermal Shutdown with Automatic Restart
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSZ Type P 5.1 A 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type P 5.1 A 8-Pin TSDSON BSZ215CHXTMA1
- Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- ROHM RH Type P-Channel MOSFET 80 V Depletion, 8-Pin HSMT-8 RH6N040BHTB1
- ROHM Dual SH8MB 1 Type N 8.5 A 8-Pin SOP SH8MB5TB1
- ROHM Dual SP8M3 1 Type N 5 A 8-Pin SOP SP8M3HZGTB
- STMicroelectronics Single RF2L Type N-Channel MOSFET 4-Pin B4E RF2L16180CB4
- ROHM Dual SH8MB 1 Type N 8.5 A 8-Pin SOP
