Infineon HEXFET Type P-Channel IR MOSFET, -4 A, -30 V Dual, 8-Pin SO-8 IRF7306TRPBF
- RS Stock No.:
- 258-8196
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7306TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB360.88
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB386.14
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB36.088 | THB360.88 |
| 50 - 90 | THB35.349 | THB353.49 |
| 100 - 490 | THB28.088 | THB280.88 |
| 500 - 1990 | THB23.262 | THB232.62 |
| 2000 + | THB17.827 | THB178.27 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 258-8196
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7306TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
Legislation and Compliance
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | IR MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 160mΩ | |
| Channel Mode | Dual | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4 mm | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.75mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type IR MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ | ||
Channel Mode Dual | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4 mm | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.75mm | ||
Automotive Standard No | ||
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel IR MOSFET -30 V Dual, 8-Pin SO-8
- Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi NCV Type N 65 V Dual, 8-Pin SOIC-8 NCV8406DD1CR2G
- Infineon Dual HEXFET 2 Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF
- Infineon BSZ Type P 5.1 A 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Type P 5.1 A 8-Pin TSDSON BSZ215CHXTMA1
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 4 A 8-Pin SOIC IRF7309TRPBF
- Infineon Isolated HEXFET 2 Type N 4 A 8-Pin SOIC
