Infineon BSZ Type N, Type P-Channel MOSFET, 5.10 A, +20 V P, 8-Pin PQFN BSZ15DC02KDHXTMA1

RS Stock No.:: 250-0564
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ15DC02KDHXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon BSZ Type N, Type P-Channel MOSFET, 5.10 A, +20 V P, 8-Pin PQFN BSZ15DC02KDHXTMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB239.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB255.86

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

340 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 11 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 5	THB47.824	THB239.12
10 - 95	THB43.042	THB215.21
100 - 245	THB38.716	THB193.58
250 - 495	THB34.842	THB174.21
500 +	THB31.35	THB156.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 250-0564
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: BSZ15DC02KDHXTMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	+20V
	Package Type	PQFN
	Series	BSZ
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	P
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N, Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.10A
	Maximum Drain Source Voltage Vds +20V
	Package Type PQFN
	Series BSZ
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode P
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ15DC02KDHXTMA1

Infineon BSZ Series MOSFET, 20V Maximum Drain‑Source Voltage, 5.10A Maximum Continuous Drain Current - BSZ15DC02KDHXTMA1

This MOSFET is a dual‑channel semiconductor device designed for surface‑mount power switching in Compact electronics. It supports both N‑ and P‑channel operation, is supplied in an 8‑pin PQFN package, and is intended for applications requiring moderate current handling and controlled gate drive. The component conforms to RoHS and is specified for extended temperature environments.

Features and Benefits:

• 150mΩ Rds(on) reduces conduction losses during switching
• 80 nC typical gate charge enables predictable gate‑drive sizing
• 20V maximum Vds supports low‑voltage power rails
• 5.10A continuous drain current handles sustained load currents
• 81W power dissipation allows high transient energy handling

Applications

• Suitable for point‑of‑load switching regulators
• Ideal for synchronous buck converter stages
• Used with mixed‑signal power‑management circuits
• Can be used for battery protection and load switching
• Suitable for Compact surface‑mount power modules

What temperature range can it operate within?

It is rated for operation from -55°C up to 175°C.

What mounting and pin count does it require?

It is a surface‑mount component supplied in an 8‑pin PQFN package.

How does channel configuration affect circuit design?

Availability of both N‑channel and P‑channel types allows complementary topologies and simplified level shifting in bidirectional switches.

What gate‑drive considerations arise from the gate charge?

An 80 nC gate charge requires a gate driver sized for the intended switching speed to manage transition energy and switching losses.