Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V PQFN IRFHM830TRPBF

RS Stock No.:: 257-9389
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFHM830TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V PQFN IRFHM830TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB174.23

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB186.43

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

3,590 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB17.423	THB174.23
50 - 90	THB16.814	THB168.14
100 - 490	THB16.225	THB162.25
500 - 1990	THB15.657	THB156.57
2000 +	THB15.109	THB151.09

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PQFN
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds	15mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Maximum Power Dissipation Pd	37W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PQFN
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Maximum Power Dissipation Pd 37W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V PQFN IRFHM830TRPBF

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง