Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -21 A, -30 V, 8-Pin PQFN IRFH9310TRPBF

N

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB261.56

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB279.87

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 3,970 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB52.312THB261.56
50 - 95THB46.90THB234.50
100 - 495THB36.336THB181.68
500 - 1995THB30.022THB150.11
2000 +THB23.772THB118.86

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-5834
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFH9310TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

HEXFET

Package Type

PQFN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

58nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

5mm

Width

6 mm

Height

0.39mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Industry standard surface-mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below <100 kHz

Softer body-diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง