Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -21 A, -30 V, 8-Pin PQFN IRFH9310TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-5834
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH9310TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
N
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB261.56
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB279.87
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 3,970 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB52.312 | THB261.56 |
| 50 - 95 | THB46.90 | THB234.50 |
| 100 - 495 | THB36.336 | THB181.68 |
| 500 - 1995 | THB30.022 | THB150.11 |
| 2000 + | THB23.772 | THB118.86 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5834
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH9310TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.7mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5mm | |
| Width | 6 mm | |
| Height | 0.39mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.7mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5mm | ||
Width 6 mm | ||
Height 0.39mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin PQFN IRFHM9331TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin PQFN
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin PQFN IRLHS2242TRPBF
- Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin PQFN IRFHS9301TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8
