Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 21 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7862TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9324
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7862TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB258.70
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB276.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 2,975 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 02 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB51.74 | THB258.70 |
| 50 - 95 | THB46.262 | THB231.31 |
| 100 - 495 | THB35.98 | THB179.90 |
| 500 - 1995 | THB29.744 | THB148.72 |
| 2000 + | THB23.512 | THB117.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9324
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7862TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 21A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 30nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 21A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 30V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 5V gate drive voltage (called Logic level)
Industry standard surface mount package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRFHM830TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9393TRPBF
- Infineon Dual HEXFET 1 N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
