Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET

RS Stock No.:: 215-2447
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRF7640S2TR
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4800 ชิ้น)*

THB117,513.60

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB125,740.80

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
4800 - 4800	THB24.482	THB117,513.60
9600 - 14400	THB23.748	THB113,990.40
19200 +	THB23.035	THB110,568.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 215-2447
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: AUIRF7640S2TR
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	HEXFET
	Package Type	DirectFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	36mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	7.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	30W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 21A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series HEXFET
	Package Type DirectFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 36mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 30W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - AUIRF7640S2TR

The Infineon Automotive DirectFET® Power MOSFET series has 60V maximum drain source voltage with 20A maximum continuous drain current in a DirectFET Small Can package. The AUIRF7640S2TR/TR1 combines the latest Automotive HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET® packaging platform to produce a best in class part for Automotive Class D audio amplifier applications. The DirectFET® package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapour phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET® package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in automotive power systems.

Advanced Process Technology

Optimized for Class D Audio Amplifier and High Speed Switching Applications

Low Rds(on) for Improved Efficiency

Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

Lead free, RoHS and Halogen free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 21 A, 60 V Enhancement, 6-Pin DirectFET

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง