Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 259 A, 40 V PQFN IRFH7004TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9380
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFH7004TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

259A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PQFN

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

129nC

Maximum Power Dissipation Pd

156W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

0.9mm

Length

5mm

Width

6 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRFH series is the 40V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard surface mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง