Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 259 A, 40 V PQFN
- RS Stock No.:
- 257-9379
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH7004TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB116,948.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB125,136.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB29.237 | THB116,948.00 |
| 8000 + | THB27.001 | THB108,004.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9379
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH7004TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 259A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.4mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 900mV | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 129nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 6mm | |
| Length | 5mm | |
| Height | 900μm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 259A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.4mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 900mV | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 129nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 6mm | ||
Length 5mm | ||
Height 900μm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFH series is the 40V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Industry standard surface mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V PQFN IRFH7446TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V PQFN IRFH7084TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRFH6200TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 20 V PQFN IRLHM620TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V PQFN IRLHM630TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 100 V PQFN IRFHM3911TRPBF