Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 265 A, 40 V PQFN
- RS Stock No.:
- 257-5529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH7084TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB154,888.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB165,732.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB38.722 | THB154,888.00 |
| 8000 + | THB35.361 | THB141,444.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-5529
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFH7084TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 265A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | PQFN | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.25mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 156W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 127nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Width | 5 mm | |
| Length | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 265A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type PQFN | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.25mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 156W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 127nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.05mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Width 5 mm | ||
Length 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon strongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Industry standard surface-mount power package
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
Softer body-diode compared to previous silicon generation
Wide portfolio available
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN IRFH7084TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN IRFH7446TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN IRFH7004TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V PQFN IRFH7440TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V PQFN