Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 688-6914
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB3307ZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 120 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 2 ชิ้น)*

THB196.53

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB210.288

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีสต็อกจำกัด

60 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
เพิ่มอีก 24 ชิ้นที่เหลือจะส่งจากวันที่ 18 กุมภาพันธ์ 2569

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
2 - 12	THB98.265	THB196.53
14 - 24	THB95.80	THB191.60
26 +	THB94.33	THB188.66

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 688-6914
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFB3307ZPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	75V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	79nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	230W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.66mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.82 mm
	Height	9.02mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 75V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 79nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 230W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.66mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.82 mm
	Height 9.02mm
	Automotive Standard No

ล็อกอินเพื่อดูโมเดล CAD

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon

Motor Control MOSFET

Infineon offers a comprehensive portfolio of rugged N-channel and P-channel MOSFET devices for motor control applications.

Synchronous Rectifier MOSFET

A portfolio of synchronous rectification MOSFET devices for AC-DC power supplies supports the customer demands for higher power density, smaller size, more portability and more flexible systems.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.