Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 35 A, 150 V Enhancement TO-220 IRFB5615PBF
- RS Stock No.:
- 257-9354
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB5615PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 100 ชิ้น)*
THB3,650.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB3,906.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | THB36.50 | THB3,650.00 |
| 500 - 900 | THB34.675 | THB3,467.50 |
| 1000 + | THB32.941 | THB3,294.10 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9354
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFB5615PBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 35A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 39mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | +175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 35A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature +175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 150V Maximum Drain-Source Voltage, 35A Maximum Continuous Drain Current - IRFB5615PBF
This MOSFET is a through-hole power transistor designed for switching and power conversion in demanding environments. It operates as an enhancement-mode N-channel device in a TO-220 package, suitable for installations requiring a robust drain-source voltage rating and substantial continuous current handling. The component meets RoHS requirements and is rated for a wide thermal span suited to industrial conditions.
Features and Benefits:
• 150V drain-source rating enables high-voltage switching applications
• 35A continuous current supports high-current power supplies
• 39mΩ low Rds(on) minimises conduction losses during operation
• -55°C to +175°C operating range permits use across extreme temperatures
• 1.3V forward gate voltage reduces drive requirements for switching
• 35A continuous current supports high-current power supplies
• 39mΩ low Rds(on) minimises conduction losses during operation
• -55°C to +175°C operating range permits use across extreme temperatures
• 1.3V forward gate voltage reduces drive requirements for switching
Applications
• Suitable for motor-drive power stages
• Ideal for high-current switch-mode power supplies
• Used with discrete power-control modules in industrial systems
• Can be used for high-voltage DC switching tasks
• Ideal for high-current switch-mode power supplies
• Used with discrete power-control modules in industrial systems
• Can be used for high-voltage DC switching tasks
What package type should I expect for PCB mounting?
It is supplied in a TO-220 through-hole package suitable for secure soldered mounting.
How does the channel type affect switching polarity?
The N-channel configuration requires positive gate drive relative to source for conduction.
Is this component intended for automotive qualification?
It is not specified to conform to automotive-grade standards.
What standard environmental restriction is adhered to?
The device complies with RoHS directives limiting certain hazardous substances.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement TO-220 IRFB5615PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4615PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 7-Pin DirectFET IRF6643TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 250 V Enhancement TO-220 IRFB4229PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V Enhancement TO-220 IRFB4127PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 40 V Enhancement TO-220 IRFB7440PBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement TO-220 IRFB7545PBF
