Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9393TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9338
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9393TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*
THB169.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB181.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | THB16.925 | THB169.25 |
| 50 - 90 | THB16.592 | THB165.92 |
| 100 - 490 | THB13.025 | THB130.25 |
| 500 - 1990 | THB10.275 | THB102.75 |
| 2000 + | THB8.22 | THB82.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9338
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF9393TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -9.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 32.5mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -9.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 32.5mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the -30V p channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8 IRF9358TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8 IRF8714TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH8303TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5301TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin PQFN IRFH5302TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8
