Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -9.2 A, -30 V, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB32,072.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB34,316.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
สต็อกสุดท้ายของ RS
  • 4,000 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 +THB8.018THB32,072.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-9337
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF9393TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-9.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

32.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -30V p channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Industry standard surface mount package

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง