Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 80 V, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 257-9321
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7854TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB97,204.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB104,008.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB24.301 | THB97,204.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9321
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7854TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 13.4mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 13.4mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 80V n channel strong IRFET power mosfet in a SO 8 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Industry standard surface mount package
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8 IRF7854TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8 IRF7470TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -20 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -12 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8