Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 170 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP2907ZPBF
- RS Stock No.:
- 124-9010
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP2907ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 50 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ THB176.05
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 25 ชิ้น)*
THB4,049.33
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB4,332.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 21 พฤษภาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 25 - 25 | THB161.973 | THB4,049.33 | - |
| 50 - 75 | THB158.452 | THB3,961.30 | THB176.05 |
| 100 + | THB154.931 | THB3,873.28 | THB704.20 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 124-9010
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRFP2907ZPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 170A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | -20V, +20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 180nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 310W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.9mm | |
| Height | 20.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 170A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 180nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 310W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.9mm | ||
Height 20.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP2907ZPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IRLR2908TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 4-Pin PQFN IRFH8311TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7493TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7854TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 7-Pin DirectFET IRF6668TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 75 V TO-220
