Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 200 V, 8-Pin SO-8 IRF7820TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9320
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7820TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB282.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB301.75
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 3,645 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB56.40 | THB282.00 |
| 50 - 95 | THB50.224 | THB251.12 |
| 100 - 495 | THB38.972 | THB194.86 |
| 500 - 1995 | THB32.354 | THB161.77 |
| 2000 + | THB25.516 | THB127.58 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9320
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7820TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 78mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 330mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 78mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 330mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the 200V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Normal level is Optimized for 10 V gate drive voltage
Industry standard surface mount package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO IRFH5020TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-262
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263