Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 3.7 A, 200 V, 8-Pin SO-8 IRF7820TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB328.75

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB351.75

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 3,620 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 23 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
5 - 45THB65.75THB328.75
50 - 95THB58.55THB292.75
100 - 495THB45.432THB227.16
500 - 1995THB37.716THB188.58
2000 +THB29.744THB148.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
257-9320
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7820TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

78mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

330mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 200V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level is Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface mount package

Capable of being wave soldered

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง