Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 34 A, 200 V Enhancement, 8-Pin SuperSO

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB133,176.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB142,500.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 4,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 - 4000THB33.294THB133,176.00
8000 - 12000THB32.295THB129,180.00
16000 +THB31.326THB125,304.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
217-2608
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRFH5020TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

34A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

SuperSO

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

55mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.6W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.9mm

Length

5mm

Width

6 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface-mount power package

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง