Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 3.7 A, 200 V, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB89,540.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB95,808.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 30 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 +THB22.385THB89,540.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-9319
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7820TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

SO-8

Series

HEXFET

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

78mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Height

330mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the 200V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level is Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface mount package

Capable of being wave soldered


ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง