Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -6.7 A, -20 V, 8-Pin SO-8
- RS Stock No.:
- 257-9309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7404TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB60,068.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB64,272.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- 4,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 กุมภาพันธ์ 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 + | THB15.017 | THB60,068.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9309
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7404TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -20V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 40mΩ | |
| Forward Voltage Vf | -1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 33.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -20V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 40mΩ | ||
Forward Voltage Vf -1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 33.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRF series is the strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -20 V, 8-Pin SO-8 IRF7404TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin SO-8 IRF7324TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V, 8-Pin SO-8