Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, -7.4 A, -12 V, 8-Pin SO-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*

THB77,816.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB83,264.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
4000 +THB19.454THB77,816.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
257-9307
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
IRF7329TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

-7.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-12V

Series

HEXFET

Package Type

SO-8

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

199mΩ

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.1nC

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

4 mm

Length

5mm

Height

1.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon IRF series is the -12V dual p channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.

RoHS Compliant

Low RDS (on)

Dual p channel mosfet

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง