Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 8-Pin SO-8 IRF7470TRPBF
- RS Stock No.:
- 257-9312
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7470TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*
THB201.61
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB215.725
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 265 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | THB40.322 | THB201.61 |
| 50 - 95 | THB35.928 | THB179.64 |
| 100 - 495 | THB28.08 | THB140.40 |
| 500 - 1995 | THB23.198 | THB115.99 |
| 2000 + | THB18.312 | THB91.56 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 257-9312
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7470TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 15mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 12 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Distrelec Product Id | 304-40-520 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 15mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 12 V | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Distrelec Product Id 304-40-520 | ||
The Infineon IRF series is the 40V single n channel HEXFET power mosfet in a SO 8 package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 80 V, 8-Pin SO-8 IRF7854TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7469TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -20 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET -30 V, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 20 V, 8-Pin SO-8
