Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 9 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 IRF7469TRPBF
- RS Stock No.:
- 217-2607
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7469TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 20 ชิ้น)*
THB486.08
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB520.10
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 4,220 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 20 - 980 | THB24.304 | THB486.08 |
| 1000 - 1980 | THB23.696 | THB473.92 |
| 2000 + | THB23.332 | THB466.64 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 217-2607
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IRF7469TRPBF
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 21mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.5W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 4.9mm | |
| Width | 3.9 mm | |
| Height | 1.75mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 21mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.5W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 4.9mm | ||
Width 3.9 mm | ||
Height 1.75mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package.
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRLS3034TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TO-263 IRFS3004TRL7PP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7842TRPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 9-Pin DirectFET