Vishay SI3483DDV Type P-Channel MOSFET, -6.4 A, -30 V, 6-Pin TSOP-6 SI3483DDV-T1-GE3
- RS Stock No.:
- 256-7358
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB24,948.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB26,694.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 28 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB8.316 | THB24,948.00 |
| 6000 - 6000 | THB7.781 | THB23,343.00 |
| 9000 + | THB7.538 | THB22,614.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7358
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type P | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Series | SI3483DDV | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0513Ω | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type P | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Series SI3483DDV | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0513Ω | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay SI3483DDV Series MOSFET, 3W Maximum Power Dissipation, -30V Maximum Drain Source Voltage - SI3483DDV-T1-GE3
This p-channel MOSFET is a surface-mount switching transistor designed for electronic power control in compact assemblies. It operates across a broad temperature span and is suitable for low-voltage applications requiring moderate current handling and efficient conduction. The device comes in a TSOP-6 package and is specified for standard RoHS manufacturing environments.
Features and Benefits:
• Low Rds(on) 0.0513Ω enables reduced conduction losses
• Maximum continuous drain current -6.4A supports moderate load currents
• Drain-source voltage rating -30V permits low-voltage switching
• Gate threshold allowing Vgs up to 16V provides flexible drive range
• Typical gate charge 4.5nC yields faster switching for efficiency
• Power dissipation 3W limits thermal load for compact designs
• Maximum continuous drain current -6.4A supports moderate load currents
• Drain-source voltage rating -30V permits low-voltage switching
• Gate threshold allowing Vgs up to 16V provides flexible drive range
• Typical gate charge 4.5nC yields faster switching for efficiency
• Power dissipation 3W limits thermal load for compact designs
Applications
• Used for reverse-battery protection in portable electronics
• Suitable for load switching in power-distribution rails
• Ideal for high-side switching in battery-management systems
• Can be used for USB power-path selection circuits
• Used with motor-driver gates in low-voltage systems
• Suitable for load switching in power-distribution rails
• Ideal for high-side switching in battery-management systems
• Can be used for USB power-path selection circuits
• Used with motor-driver gates in low-voltage systems
What thermal extremes can the device tolerate in operation?
It is rated to operate from -55°C up to +150°C, allowing use across harsh ambient and elevated-temperature board conditions.
How many pins and what mounting style does it use?
The package has six pins and is intended for surface mounting on populated boards.
What channel type and conduction polarity should be expected?
The transistor is a p-channel device, so source and drain roles align with P-type switching configurations.
Is this suited to automotive standard requirements?
It is not designated as an automotive-standard component and should not be assumed to meet specific automotive qualification criteria.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay SI3483DDV Type P-Channel MOSFET -30 V, 6-Pin TSOP-6 SI3483DDV-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin TSOP-6 SI3438DV-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3460DDV-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3443DDV-T1-GE3
- Vishay SI3437DV Type P-Channel MOSFET -150 V, 6-Pin TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 12 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3477DV-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3421DV-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3493DDV-T1-GE3
