Vishay SI3483DDV Type P-Channel MOSFET, -6.4 A, -30 V, 6-Pin TSOP-6
- RS Stock No.:
- 256-7358
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*
THB21,198.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB22,683.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | THB7.066 | THB21,198.00 |
| 6000 - 6000 | THB6.611 | THB19,833.00 |
| 9000 + | THB6.405 | THB19,215.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 256-7358
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SI3483DDV-T1-GE3
- ผู้ผลิต:
- Vishay
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | -6.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | -30V | |
| Package Type | TSOP-6 | |
| Series | SI3483DDV | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0513Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Forward Voltage Vf | -1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16V | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id -6.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds -30V | ||
Package Type TSOP-6 | ||
Series SI3483DDV | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0513Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Forward Voltage Vf -1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
Vishay SI3483DDV Series MOSFET, -30V Maximum Drain Source Voltage, 0.0513Ω Maximum Drain Source Resistance - SI3483DDV-T1-GE3
This p-channel MOSFET is a surface-mount semiconductor device designed to control high-side switching and analogue power functions in Compact electronic systems. It operates with a 30V drain-to-source rating and is intended for use across a broad ambient temperature range, making it suitable for demanding industrial and automation environments where Compact power switching is required.
Features and Benefits:
• Low Rds(on) 0.0513Ω enabling reduced conduction losses • Continuous drain current 6.4A supporting moderate power loads • Typical gate charge 4.5nC permitting Faster gate switching • Maximum power dissipation 3W allowing sustained thermal load • Gate-source withstand 16V for tolerant gate-drive margins • Operable between -55°C and +150°C for high-temperature use
Applications
• Suitable for high-side load switching in automation equipment • Ideal for battery management circuits in portable systems • Used for analogue power control in industrial electronics • Can be used for thermally sensitive needing Compact SMD parts • Used with motor-control drivers requiring P-channel topology
What package type is used for Compact PCB layouts?
It is supplied in a TSOP-6 surface-mount package with six pins for tight board real estate.
How does the device behave under high junction temperatures?
It is rated to operate up to +150°C, allowing continued conduction and switching at elevated temperatures within specified limits.
What is the typical switching load characteristic to consider in drive design?
Typical gate charge is 4.5nC, which informs gate-drive energy and switching-loss calculations.
Which environmental approvals or material standards apply?
The component conforms to RoHS material restrictions for restricted-substance compliance.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Vishay Type P-Channel MOSFET 30 V, 6-Pin TSOP-6 SI3483DDV-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin TSOP-6
- Vishay Type P-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOP-6
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOP-6
- Vishay Type P-Channel MOSFET 40 V, 6-Pin TSOP-6 SI3438DV-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 150 V, 6-Pin TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3
- Vishay Type P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin TSOP-6 SI3460DDV-T1-GE3
