Vishay SI3437DV Type P-Channel MOSFET, -1.4 A, -150 V, 6-Pin TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3

RS Stock No.:: 256-7351
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3437DV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay SI3437DV Type P-Channel MOSFET, -1.4 A, -150 V, 6-Pin TSOP-6 SI3437DV-T1-GE3

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 5 ชิ้น)*

THB141.27

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB151.16

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 2,850 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 22 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
5 - 45	THB28.254	THB141.27
50 - 95	THB27.406	THB137.03
100 - 245	THB26.308	THB131.54
250 - 995	THB24.992	THB124.96
1000 +	THB23.492	THB117.46

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7351
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: SI3437DV-T1-GE3
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-1.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-150V
	Package Type	TSOP-6
	Series	SI3437DV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.79Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Height	1.1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -1.4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -150V
	Package Type TSOP-6
	Series SI3437DV
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.79Ω
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.2W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Height 1.1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SI3437DV-T1-GE3

Vishay SI3437DV Series MOSFET, 150V Drain Source Voltage, 0.79Ω Drain Source Resistance - SI3437DV-T1-GE3

This p-channel MOSFET is a surface-mount power transistor intended for high-voltage switching and power-management roles in electronic systems. It is designed to operate across a wide temperature range for use in industrial and commercial equipment, providing gate-controlled conduction for applications that require a positive gate-source threshold in a negative-drain environment.

Features and Benefits:

• High voltage rating enables switching at 150V for power circuits • Low on-resistance minimises conduction losses at 0.79 Ω • Continuous current capability supports sustained loads up to 1.4 A • Typical gate charge 8 nC allows efficient gate drive and Faster switching • Maximum power dissipation 3.2W aids thermal budgeting in Compact designs • Gate-source withstand of 20V permits robust drive margin for control stages

Applications

• Suitable for synchronous load switching in industrial controllers • Ideal for polarity and high-side switching in power-management systems • Used for battery management in auxiliary automotive electronics • Can be used for low-to-medium current DC-DC converter stages • Used with Compact surface-mount assemblies where height is critical

What thermal environment can it tolerate for rugged operation?

The device is rated to operate from -55 °C up to +150 °C, enabling use across wide ambient and elevated junction conditions.

How does the package influence board-level layout?

The TSOP-6 surface-mount package with six pins facilitates Compact placement and thermal conduction paths for small-footprint power designs.

What should be considered regarding gate drive requirements?

The gate must be driven within a ±20V range relative to the source and the typical gate charge of 8 nC informs driver sizing to achieve the desired switching speed.

How does the device perform under continuous electrical load?

It is specified for a maximum continuous drain current of 1.4 A and a power dissipation of 3.2 W, which should be used to size PCB copper area and any heat-sinking.