Vishay SI3437DV Type P-Channel MOSFET, -1.4 A, -150 V, 6-Pin TSOP-6

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB41,403.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB44,301.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 14 กันยายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
3000 +THB13.801THB41,403.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
256-7350
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
SI3437DV-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-1.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-150V

Package Type

TSOP-6

Series

SI3437DV

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.79Ω

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

+150°C

Height

1.1mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Vishay SI3437DV Series MOSFET, 150V Drain Source Voltage, 0.79Ω Drain Source Resistance - SI3437DV-T1-GE3


This p-channel MOSFET is a surface-mount power transistor intended for high-voltage switching and power-management roles in electronic systems. It is designed to operate across a wide temperature range for use in industrial and commercial equipment, providing gate-controlled conduction for applications that require a positive gate-source threshold in a negative-drain environment.

Features and Benefits:


• High voltage rating enables switching at 150V for power circuits • Low on-resistance minimises conduction losses at 0.79 Ω • Continuous current capability supports sustained loads up to 1.4 A • Typical gate charge 8 nC allows efficient gate drive and Faster switching • Maximum power dissipation 3.2W aids thermal budgeting in Compact designs • Gate-source withstand of 20V permits robust drive margin for control stages

Applications


• Suitable for synchronous load switching in industrial controllers • Ideal for polarity and high-side switching in power-management systems • Used for battery management in auxiliary automotive electronics • Can be used for low-to-medium current DC-DC converter stages • Used with Compact surface-mount assemblies where height is critical

What thermal environment can it tolerate for rugged operation?


The device is rated to operate from -55 °C up to +150 °C, enabling use across wide ambient and elevated junction conditions.

How does the package influence board-level layout?


The TSOP-6 surface-mount package with six pins facilitates Compact placement and thermal conduction paths for small-footprint power designs.

What should be considered regarding gate drive requirements?


The gate must be driven within a ±20V range relative to the source and the typical gate charge of 8 nC informs driver sizing to achieve the desired switching speed.

How does the device perform under continuous electrical load?


It is specified for a maximum continuous drain current of 1.4 A and a power dissipation of 3.2 W, which should be used to size PCB copper area and any heat-sinking.

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง