Vishay IRFR9010 Type P-Channel Power MOSFET, -5.3 A, -50 V, 3-Pin TO-252 IRFR9010TRPBF

RS Stock No.:: 256-7311
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR9010TRPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

Vishay IRFR9010 Type P-Channel Power MOSFET, -5.3 A, -50 V, 3-Pin TO-252 IRFR9010TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB352.30

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB377.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,970 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 24 สิงหาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 40	THB35.23	THB352.30
50 - 90	THB34.52	THB345.20
100 - 240	THB27.475	THB274.75
250 - 990	THB26.907	THB269.07
1000 +	THB17.922	THB179.22

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 256-7311
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRFR9010TRPBF
ผู้ผลิต:: Vishay

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-50V
	Package Type	TO-252
	Series	IRFR9010
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	25W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.1nC
	Forward Voltage Vf	-5.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Height	2.39mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -5.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -50V
	Package Type TO-252
	Series IRFR9010
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.5Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 25W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.1nC
	Forward Voltage Vf -5.5V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Height 2.39mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Vishay IRFR9010 Series Power MOSFET, 50V Maximum Drain Source Voltage, 5.3A Maximum Continuous Drain Current - IRFR9010TRPBF

This power MOSFET is a P‑channel semiconductor device designed for switching and power-management roles in surface-mount assemblies. It operates across a wide thermal range and is suited to circuits requiring controlled high-current switching and moderate voltage handling in compact TO‑252 packaging.

Features and Benefits:

• 50V drain-to-source rating enables moderate-voltage switching
• 0.5Ω Rds(on) reduces conduction losses in load paths
• 5.3A continuous drain current supports sustained current delivery
• 9.1nC typical gate charge allows faster gate-drive response
• 25W maximum power dissipation permits higher thermal loading
• -55°C to +150°C operating range supports harsh environments

Applications

• Suitable for high-side switching in power rails
• Ideal for battery management and load disconnects
• Used with compact converters requiring surface mount
• Can be used for reverse-polarity protection circuits
• Suitable for thermal-stress testing in electronics validation

What package type does it use and how does that affect mounting?

It comes in a TO‑252 package designed for surface mounting, providing a low-profile option compatible with reflow processes and enabling thermal coupling to PCB copper for heat dissipation.

What gate-drive limitations should be considered during design?

The device tolerates up to 20V between gate and source, so gate drivers must remain within that range to avoid damaging the gate oxide.

How should thermal management be approached on a PCB?

Given a 25W maximum dissipation, designers should allocate adequate copper area or thermal vias beneath the package to spread heat and maintain junction temperature within safe limits.

Are there special considerations for switching performance?

The typical gate charge of 9.1nC implies moderate gate-drive energy

driver selection should balance switching speed against EMI and drive power.