onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L025N065SC1
- RS Stock No.:
- 254-7670
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB638.67
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB683.38
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 440 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB638.67 |
| 10 - 99 | THB619.51 |
| 100 - 249 | THB594.72 |
| 250 - 349 | THB564.98 |
| 350 + | THB531.08 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-7670
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 164nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 164nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
The ON Semiconductor NTH series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Used in telecommunication
Ultra low gate charge
High speed switching and low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L075N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTHL015N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL060N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL025N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L040N120SC1