onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 17.3 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด
ไม่พร้อมจำหน่ายในตอนนี้
เราไม่ทราบว่าสินค้านี้จะกลับมาในสต็อกหรือไม่ RS ตั้งใจที่จะลบสินค้านี้ออกจากกลุ่มผลิตภัณฑ์ในเร็วๆ นี้
RS Stock No.:
202-5702
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
NTH4L160N120SC1
ผู้ผลิต:
onsemi
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

17.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

TO-247

Series

NTH

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

224mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Maximum Power Dissipation Pd

111W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

4V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.2 mm

Length

18.62mm

Height

22.74mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L


The ON Semiconductor Silicon Carbide Power MOSFET runs with 17.3 Ampere and 1200 Volts. It can be used in uninterruptible power supply, DC/DC Converter, boost inverter.

160mO drain to source on resistance

Ultra low gate charge

100% avalanche tested

Pb free

RoHS compliant

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง