onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- RS Stock No.:
- 248-5817
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB15,946.86
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB17,063.13
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 330 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | THB531.562 | THB15,946.86 |
| 60 - 60 | THB515.615 | THB15,468.45 |
| 90 + | THB500.147 | THB15,004.41 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 248-5817
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTHL025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 164nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 164nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
The ON Semiconductor Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a N channel MOSFET with 650 V drain to source voltage and 348 W power dissipation, TO247-3L packaging and this device is Halide free and RoHS compliant with exemption 7a, Pb−Free 2LI.
Ultra Low Gate Charge 164 nC
Low capacitance 278 pF
100 percent avalanche tested
Temperature 175°C
RDS(on) 19 mohm
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL025N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL060N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L040N120SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin TO-247 NTH4L060N065SC1
- onsemi NTH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L025N065SC1