onsemi NTH N-Channel MOSFET, 58 A, 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L025N065SC1
- RS Stock No.:
- 254-7669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
เพิ่มอีก 900 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*
THB235,547.10
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB252,035.55
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 27 กันยายน 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* | การประหยัด |
|---|---|---|---|
| 450 - 450 | THB523.438 | THB235,547.10 | - |
| 900 - 900 | THB512.968 | THB230,835.60 | 2% |
| 1350 + | THB502.709 | THB226,219.05 | 3% |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-7669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTH4L025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1.2kV | |
| Series | NTH | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 164nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1.2kV | ||
Series NTH | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 164nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L025N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTHL015N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 7-Pin TO-247 NTH4L075N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL025N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 3-Pin TO-247 NTHL060N065SC1
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247
- onsemi NTH N-Channel MOSFET 1.2 kV Enhancement, 4-Pin TO-247