onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247

RS Stock No.:: 254-7669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTH4L025N065SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 450 ชิ้น)*

THB235,547.10

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB252,035.55

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 01 พฤษภาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
450 - 450	THB523.438	THB235,547.10
900 - 900	THB512.968	THB230,835.60
1350 +	THB502.709	THB226,219.05

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 254-7669
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: NTH4L025N065SC1
ผู้ผลิต:: onsemi

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	TO-247
	Series	NTH
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	22mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	4.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	164nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Power Dissipation Pd	117W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 58A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type TO-247
	Series NTH
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 4.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 164nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Power Dissipation Pd 117W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS with exemption 7a, Pb-Free 2LI
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - NTH4L025N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L

The ON Semiconductor NTH series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Used in telecommunication

Ultra low gate charge

High speed switching and low capacitance

onsemi NTH Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, TO247−4L

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง