onsemi NTB Type N-Channel MOSFET, 58 A, 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG025N065SC1
- RS Stock No.:
- 254-7663
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB697.85
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB746.70
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 797 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB697.85 |
| 10 - 99 | THB643.36 |
| 100 - 249 | THB614.34 |
| 250 - 499 | THB549.65 |
| 500 + | THB494.77 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 254-7663
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- NTBG025N065SC1
- ผู้ผลิต:
- onsemi
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | NTB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 7 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 22 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 164nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 117W | |
| Forward Voltage Vf | 4.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series NTB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 7 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 164nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 117W | ||
Forward Voltage Vf 4.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK−7L
The ON Semiconductor NTB series of a silicon carbide mosfet uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition with the low on resistance and compact chip size. It ensures a low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.
Used in telecommunication
Ultra low gate charge
High speed switching and low capacitance
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG022N120M3S
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263 NTBG060N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin HPSOF-8L NTBL045N065SC1
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET & Diode 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263
- onsemi NTB Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 7-Pin TO-263