Infineon BSP N-Channel MOSFET, 120 mA, 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP125H6433XTMA1
- RS Stock No.:
- 250-0527
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP125H6433XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 4000 ชิ้น)*
THB43,648.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB46,704.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 22 กุมภาพันธ์ 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | THB10.912 | THB43,648.00 |
| 8000 - 8000 | THB10.584 | THB42,336.00 |
| 12000 + | THB10.161 | THB40,644.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 250-0527
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- BSP125H6433XTMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | BSP | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45000mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Operating Temperature | +150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series BSP | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45000mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Operating Temperature +150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
Infineon BSP Series MOSFET, 600V Maximum Drain-Source Voltage, 81W Maximum Power Dissipation - BSP125H6433XTMA1
This MOSFET is a surface-mounted enhancement-mode N-channel device intended for high-voltage switching and power dissipation tasks in Compact electronic assemblies. It operates across a wide temperature span suited to demanding conditions and incorporates a three-pin SOT-223 package for straightforward PCB placement. The component is RoHS compliant and meets automotive qualification standards for use in regulated vehicle environments.
Features and Benefits:
• 600V drain-source rating enables high-voltage switching
• 81W power dissipation supports sustained thermal loads
• 0.12A continuous drain current suits low-current control paths
• 45,000mΩ on-resistance minimises conduction losses
• 80nC gate charge at 20V simplifies gate-drive design
• 81W power dissipation supports sustained thermal loads
• 0.12A continuous drain current suits low-current control paths
• 45,000mΩ on-resistance minimises conduction losses
• 80nC gate charge at 20V simplifies gate-drive design
Applications
• Suitable for industrial power supply switching stages
• Ideal for automotive control circuits requiring qualification
• Used with Compact converters needing SOT-223 mounting
• Can be used for high-temperature electronic modules
• Suitable for surface-mount prototype and production boards
• Ideal for automotive control circuits requiring qualification
• Used with Compact converters needing SOT-223 mounting
• Can be used for high-temperature electronic modules
• Suitable for surface-mount prototype and production boards
What gate voltage limits must be observed?
The gate-source voltage must not exceed 20V to prevent gate-region damage.
What thermal range can be expected during operation?
The device is rated for continuous use from -55°C up to +150°C to accommodate wide environmental conditions.
How many pins and what package type should PCB designers allow for?
It uses a three-pin SOT-223 package suitable for surface-mount assembly and typical soldering processes.
What standards or approvals apply to this component?
It complies with RoHS directives and meets the AEC-Q101 automotive qualification.
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon BSP N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP125H6433XTMA1
- Infineon BSP N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin PG-SOT223 BSP135H6906XTSA1
- Infineon BSP N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-223 BSP296NH6433XTMA1
- Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP125H6327XTSA1
- Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223
- Infineon BSP135I N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP135IXTSA1
- Infineon SIPMOS N-Channel MOSFET 600 V Depletion, 4-Pin SOT-223 BSP135H6327XTSA1
- STMicroelectronics SuperMESH N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z
