STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

RS Stock No.:: 248-9688
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP65N045M9
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 50 ชิ้น)*

THB15,758.05

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB16,861.10

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 450 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 19 มกราคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อหลอด*
50 - 50	THB315.161	THB15,758.05
100 - 100	THB305.706	THB15,285.30
150 +	THB296.535	THB14,826.75

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 248-9688
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STP65N045M9
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	650V
	Series	STP
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	245W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	UL
	Height	4.6mm
	Length	28.9mm
	Width	10.4 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 650V
	Series STP
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 245W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals UL
	Height 4.6mm
	Length 28.9mm
	Width 10.4 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STP65N045M9

The STMicroelectronics product is a N channel power MOSFET based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS on per area coupled with a fast recovery diode. The silicon based DM9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure. The resulting product has one of the lower on resistance and reduced gate charge values, among all silicon based fast switching super junction power MOSFETs, making it particularly suitable for applications that require superior power density and outstanding efficiency.

Worldwide best FOM RDS on Qg among silicon based devices

Higher VDSS rating

Higher dv/dt capability

Excellent switching performance

Easy to drive

100 percent avalanche tested

STMicroelectronics STP Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง