DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- RS Stock No.:
- 246-7520
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN61D9UDWQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 25 ชิ้น)*
THB98.25
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB105.25
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
สต็อกสุดท้ายของ RS
- 2,225 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อแพ็ค* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | THB3.93 | THB98.25 |
| 50 - 75 | THB3.734 | THB93.35 |
| 100 - 225 | THB3.36 | THB84.00 |
| 250 - 975 | THB2.856 | THB71.40 |
| 1000 + | THB2.285 | THB57.13 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 246-7520
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMN61D9UDWQ-7
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-363 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.37W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-363 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.37W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard No | ||
The DiodesZetex makes a dual N-channel enhancement mode MOSFET, designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in SOT363 packaging. It offers fast switching and high efficiency.
Maximum drain to source voltage is 60 Vand maximum gate to source voltage is ±20 V It offers a ultra-small package size It has low input/output leakage
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual 2N7002 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDWQ-7
- DiodesZetex Dual 2N7002 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 2N7002DWK-7
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual DMN3401 2 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363
- DiodesZetex Dual 2 Type P-Channel MOSFET 6-Pin SOT-363 DMP31D7LDWQ-7
