DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 217 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDWQ-7

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB466.25

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB498.90

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 2,350 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 50THB9.325THB466.25
100 - 200THB9.092THB454.60
250 - 450THB8.865THB443.25
500 - 950THB8.643THB432.15
1000 +THB8.427THB421.35

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

ตัวเลือกบรรจุภัณฑ์ / Packaging Options :
RS Stock No.:
222-2848
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN66D0LDWQ-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

217mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

DMN

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Power Dissipation Pd

250mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Dual

Height

0.95mm

Width

1.3 mm

Standards/Approvals

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Length

2.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

The DiodesZetex Dual N-channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง