DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 217 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

RS Stock No.:: 222-2847
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMN66D0LDWQ-7
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 217 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 3000 ชิ้น)*

THB5,844.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB6,252.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 18 ธันวาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
3000 +	THB1.948	THB5,844.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 222-2847
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: DMN66D0LDWQ-7
ผู้ผลิต:: DiodesZetex

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	DiodesZetex
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	217mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-363
	Series	DMN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd	250mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Width	1.3 mm
	Height	0.95mm
	Standards/Approvals	RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Length	2.15mm
	Automotive Standard	AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

	เลือกทั้งหมด
	Brand DiodesZetex
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 217mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-363
	Series DMN
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Power Dissipation Pd 250mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Width 1.3 mm
	Height 0.95mm
	Standards/Approvals RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0
	Length 2.15mm
	Automotive Standard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Datasheet - DMN66D0LDWQ-7

The DiodesZetex Dual N-channel enhancement mode MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP.

Dual N-Channel MOSFET

Low On-Resistance

Low Gate Threshold Voltage

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

DiodesZetex Dual DMN Type N-Channel MOSFET, 217 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง