DiodesZetex Dual DMN3401 2 Type N-Channel MOSFET, 800 mA, 30 V Enhancement, 6-Pin SOT-363

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 50 ชิ้น)*

THB340.55

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB364.40

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • 1,900 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อแพ็ค*
50 - 700THB6.811THB340.55
750 - 1450THB6.641THB332.05
1500 +THB6.539THB326.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
206-0085
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMN3401LDW-7
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

800mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

DMN3401

Package Type

SOT-363

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

700mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.35W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

2.15mm

Standards/Approvals

No

Height

0.95mm

Width

1.3 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (Country of Origin):
CN
The DiodesZetex 30V dual N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 0.29 W thermal power dissipation.

Low on-resistance

Low input capacitance

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง