DiodesZetex Dual DMNH6035 1 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB76,540.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB81,897.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
มีในสต็อก
  • เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 - 2500THB30.616THB76,540.00
5000 - 7500THB29.697THB74,242.50
10000 +THB28.806THB72,015.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
206-0096
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMNH6035SPDW-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

33A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerDI5060

Series

DMNH6035

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

44mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

68W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

0.75V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.05mm

Width

5.8 mm

Length

4.9mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

COO (Country of Origin):
CN
The DiodesZetex 60V N- channel enhancement mode MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management application. Its gate-source voltage is 20 V with 2.4 W thermal power dissipation.

Rated to +175°C is ideal for high ambient temperature environment

Low Qg – minimises switching losses

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง