DiodesZetex Dual DMNH6035 1 Type N-Channel MOSFET, 33 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- RS Stock No.:
- 206-0096
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMNH6035SPDW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*
THB76,540.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB81,897.50
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
- เพิ่มอีก 5,000 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | THB30.616 | THB76,540.00 |
| 5000 - 7500 | THB29.697 | THB74,242.50 |
| 10000 + | THB28.806 | THB72,015.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 206-0096
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- DMNH6035SPDW-13
- ผู้ผลิต:
- DiodesZetex
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 33A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | PowerDI5060 | |
| Series | DMNH6035 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 44mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 68W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.75V | |
| Transistor Configuration | Dual | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Width | 5.8 mm | |
| Length | 4.9mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 33A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type PowerDI5060 | ||
Series DMNH6035 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 44mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 68W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Forward Voltage Vf 0.75V | ||
Transistor Configuration Dual | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.05mm | ||
Width 5.8 mm | ||
Length 4.9mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Automotive Standard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- DiodesZetex Dual DMNH6035 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMNH6035SPDW-13
- DiodesZetex Dual DMT6015LPDW 1 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual DMTH4008LPDWQ 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual DMTH4008LPDW 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual DMTH4008LPDW 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH4008LPDW-13
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel Power MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Dual 2 Type N-Channel MOSFET 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Dual DMTH4008LPDWQ 1 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060 DMTH4008LPDWQ-13
