DiodesZetex Type N-Channel MOSFET, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerDI5060-8

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

ดู MOSFETs ทั้งหมด

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2500 ชิ้น)*

THB36,455.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB39,007.50

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

Add to Basket
เลือกหรือพิมพ์จำนวน
หมดสต็อกชั่วคราว
  • จะส่งได้หลังจากวันที่ 09 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น
ต่อหน่วย
ต่อม้วน*
2500 +THB14.582THB36,455.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:
246-6885
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
DMT6011LPDW-13
ผู้ผลิต:
DiodesZetex
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด

Brand

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerDI5060-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.022Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The DiodesZetex makes an N-channel enhancement mode MOSFET, designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. It is a green device and, totally Lead, halogen and Antimony free. This MOSFET comes in powerDI5060-8 packaging. It offers fast switching and high efficiency. Its 100% unclamped inductive switching ensures more reliable and robust end application. It has working temperature range of -55°C to +150°C.

Maximum drain to source voltage is 20 V and maximum gate to source voltage is ±12 V It offers low on-resistance It has low gate threshold voltage It offers an ESD protected gate

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง