Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS17EP06LMXTSA1

RS Stock No.:: 244-2275
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: ISS17EP06LMXTSA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS17EP06LMXTSA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB48.51

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB51.91

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ไม่สามารถเข้าถึงข้อมูลสต็อกได้ในขณะนี้ - โปรดกลับมาตรวจสอบอีกครั้งภายหลัง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*
10 - 10	THB4.851	THB48.51
20 - 90	THB4.608	THB46.08
100 - 240	THB4.376	THB43.76
250 - 490	THB4.154	THB41.54
500 +	THB3.955	THB39.55

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	ISS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series ISS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon ISS Type P-Channel MOSFET, 3 A, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 ISS17EP06LMXTSA1

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง