Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML5203TRPBF

RS Stock No.:: 784-0325
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML5203TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 3 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 IRLML5203TRPBF

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

รับส่วนลดสำหรับการซื้อจำนวนมาก

เพิ่มอีก 750 ชิ้นเพื่อประหยัดได้ 2%

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 แพ็ค แพ็คละ 10 ชิ้น)*

THB101.38

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB108.48

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

สต็อกสุดท้ายของ RS

110 ชิ้นสุดท้ายพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อแพ็ค*	การประหยัด
10 - 740	THB10.138	THB101.38	-
750 - 1490	THB9.885	THB98.85	2%
1500 +	THB9.733	THB97.33	3%

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 784-0325
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IRLML5203TRPBF
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	165mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	9.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.25W
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.02mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.04mm
	Width	1.4mm
	Automotive Standard	No

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 165mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 9.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.25W
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.02mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.04mm
	Width 1.4mm
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Series MOSFET, 3A Maximum Continuous Drain Current, 30V Maximum Drain Source Voltage - IRLML5203TRPBF

This MOSFET is a high-performance power device suitable for a range of applications in the electronics sector. Featuring a compact SOT-23 package, this P-channel device provides significant efficiency with a maximum continuous drain current of 3A and a drain-source voltage of 30V. With dimensions of 3.04mm in length, 1.4mm in width, and 1.02mm in height, it is well-suited for space-constrained designs.

Features & Benefits

• Capable of 30V drain-source voltage for versatile use

• Designed for surface mount for simplified PCB design

• Operates within a temperature range of -55°C to +150°C

• Utilises enhancement mode for reliable switching performance

Applications

• Utilised in battery management systems for optimal performance

• Used in portable electronics due to low-profile design

• Applied in load management solutions across various devices

• Suitable for advanced automation control systems

What is the significance of the low Rds(on) in this device?

The low Rds(on) ensures reduced power loss during operation, which enhances overall efficiency and maintains lower thermal levels in applications.

How does the power dissipation capability impact device performance?

The capability to dissipate up to 1.25W allows for effective heat management, ensuring the device operates reliably even under maximum load conditions without thermal failure.

What factors influence the selection of this MOSFET for a specific application?

Factors such as maximum continuous drain current, voltage ratings, and thermal characteristics should be considered to ensure compatibility with circuit requirements and performance expectations.