Infineon IPT N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT012N08N5ATMA1

RS Stock No.:: 244-0901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT012N08N5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT012N08N5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*

THB254,980.00

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB272,820.00

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

จะส่งได้หลังจากวันที่ 26 กรกฎาคม 2570 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อม้วน*
2000 - 2000	THB127.49	THB254,980.00
4000 - 4000	THB123.665	THB247,330.00
6000 +	THB118.719	THB237,438.00

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-0901
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT012N08N5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	400A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-263
	Series	IPT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 400A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-263
	Series IPT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPT012N08N5ATMA1

Infineon IPT Series MOSFET, 800V Maximum Drain Source Voltage, 400A Maximum Continuous Drain Current - IPT012N08N5ATMA1

This MOSFET is a high-voltage, high-current switching device designed for demanding power conversion and automotive environments. It functions as an N-channel transistor for controlling large DC loads and is intended for surface-mounted applications where thermal endurance and robust electrical performance are required.

Features and Benefits:

• 800V rating enables high-voltage switch operation
• 400A continuous current supports heavy-load applications
• 1.2mΩ low Rds(on) minimises conduction losses
• 81W power dissipation allows sustained power handling
• 80nC gate charge permits predictable switching control
• -55°C to 175°C temperature range ensures wide thermal tolerance

Applications

• Suitable for high-voltage traction inverter stages
• Ideal for battery management and power distribution
• Used with automotive power converters meeting AEC‑Q101 requirements
• Can be used for industrial motor drive switching
• Used for high-current DC-DC converter topologies

What gate voltage limits must be observed?

The device accepts up to 20V between gate and source and requires appropriate gate drive levels within that limit.

What package should be considered for thermal management?

The TO‑263 surface-mount package offers a large thermal pad area for heatsinking and PCB thermal dissipation.

How does the component handle automotive qualification?

It conforms to the AEC‑Q101 automotive test standard for semiconductor devices used in vehicles.

What environmental regulation compliance is present?

The component meets RoHS requirements for restricted hazardous substances.

What is the channel conduction type and switching orientation?

It is an N-channel device configured for drain-to-source conduction in conventional high-side or low-side switch arrangements.