Infineon IPT N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT020N10N5ATMA1

RS Stock No.:: 244-0904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT020N10N5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

Infineon IPT N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT020N10N5ATMA1

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมาก

ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*

THB173.12

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB185.24

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

มีในสต็อก

เพิ่มอีก 1,725 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 26 ตุลาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย
1 - 9	THB173.12
10 - 99	THB164.37
100 - 249	THB156.18
250 - 499	THB148.28
500 +	THB140.95

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 244-0904
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: IPT020N10N5ATMA1
ผู้ผลิต:: Infineon

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	400A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-263
	Series	IPT
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.2mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	80nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 400A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-263
	Series IPT
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 81W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPT020N10N5ATMA1

Infineon IPT Series MOSFET, 800V Maximum Drain Source Voltage, 400A Maximum Continuous Drain Current - IPT020N10N5ATMA1

This MOSFET is a high-voltage switching semiconductor designed for demanding power applications, providing controlled conduction in N-channel configurations across a wide ambient range. It is intended for surface-mount implementations where robust current handling and thermal performance are required, and it adheres to industry environmental restrictions.

Features and Benefits:

• 800V drain rating enables high-voltage switching in power systems
• 400A continuous drain current supports heavy current loads
• 1.2mΩ low Rds(on) minimises conduction losses
• 81W power dissipation allows sustained thermal loading
• 80nC typical gate charge enables Rapid switching transitions
• 20V gate rating permits broad gate-drive flexibility

Applications

• Suitable for traction inverters and high-voltage motor drives
• Ideal for DC-DC converters in industrial power supplies
• Used for high-current switching in energy storage systems
• Can be used for on-board power electronics in demanding environments
• Used with thermal management solutions on surface-mount assemblies

What temperature range can it tolerate in operation?

It operates reliably from -55°C up to 175°C.

How is it supplied for mounting on boards?

It is provided in a TO-263 surface-mount package for soldered board placement.

What automotive qualification does it meet for vehicle use?

It conforms to the automotive AEC‑Q101 standard for component robustness.

Is it suitable for restricted-substance projects?

The device is RoHS-compliant, indicating adherence to restricted-substance limits.