Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263 IPT020N10N5ATMA1
- RS Stock No.:
- 244-0904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT020N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB118.49
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB126.78
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- เพิ่มอีก 1,780 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 29 ธันวาคม 2568 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 9 | THB118.49 |
| 10 - 99 | THB112.50 |
| 100 - 249 | THB106.90 |
| 250 - 499 | THB101.49 |
| 500 + | THB96.47 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-0904
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT020N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon Industrial power MOSFET IPT020N10N5 in TO-Leadless from Infineon is the ideal choice for high switching frequencies.
Ideal for high frequency switching and syncrec
Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
Very low on-resistance RDS(on)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263 IPT026N10N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263 IPT012N08N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8 IPT60R040S7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT60R055CFD7XTMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 16-Pin TO-263
