Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 400 A, 800 V, 8-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 244-0906
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT026N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ดูตัวเลือกการกำหนดราคาในการซื้อปริมาณมากยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 2000 ชิ้น)*
THB137,788.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB147,434.00
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 2,000 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | THB68.894 | THB137,788.00 |
| 4000 - 4000 | THB66.827 | THB133,654.00 |
| 6000 + | THB64.154 | THB128,308.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 244-0906
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPT026N10N5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 400A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPT | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.2mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 81W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 400A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPT | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.2mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 81W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon n-channel power MOSFET IPT026N10N5 in TO-Leadless (TOLL) package is ideally suited for high switching frequencies. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TOLL is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.
Ideal for high frequency switching and sync rec
Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263 IPT026N10N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263 IPT020N10N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263 IPT012N08N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 40 V, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 319 V, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 7-Pin TO-263