Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 190 A, 319 V, 16-Pin TO-263
- RS Stock No.:
- 260-2669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 รีล รีลละ 1800 ชิ้น)*
THB315,766.80
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB337,870.80
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
หมดสต็อกชั่วคราว
- จะส่งได้หลังจากวันที่ 29 มิถุนายน 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อม้วน* |
|---|---|---|
| 1800 - 1800 | THB175.426 | THB315,766.80 |
| 3600 - 3600 | THB157.883 | THB284,189.40 |
| 5400 + | THB142.095 | THB255,771.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 260-2669
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- IPTC039N15NM5ATMA1
- ผู้ผลิต:
- Infineon
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 190A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 319V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | IPT | |
| Pin Count | 16 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.9mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 319W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 74nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Height | 2.35mm | |
| Length | 10.1mm | |
| Width | 10.3 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 190A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 319V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series IPT | ||
Pin Count 16 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.9mΩ | ||
Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 319W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 74nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Height 2.35mm | ||
Length 10.1mm | ||
Width 10.3 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET provides a cooling package for superior thermal performance with an innovative package combined with the key features of the technology which allows best in class products as well as high current rating for high-power density designs.
Increased system efficiency enabling extended battery life time
High power density
Superior thermal performance
Saving in cooling system
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 319 V, 16-Pin TO-263 IPTC039N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin TOLG
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 16-Pin TO-263
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin TOLG IPTG039N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin HSOF-8 IPT039N15N5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 150 V, 16-Pin TO-263 IPTC044N15NM5ATMA1
- Infineon IPT Type N-Channel MOSFET 800 V, 8-Pin TO-263