STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247

RS Stock No.:: 240-0611
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STW75N65DM6-4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247

รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า

มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก

ยอดรวมย่อย (1 ถาด ถาดละ 30 ชิ้น)*

THB16,997.79

(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

THB18,187.65

(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

หมดสต็อกชั่วคราว

30 ชิ้นจะส่งได้หลังจากวันที่ 25 มีนาคม 2569 ไปอีกประมาณ 7 วันทำการ

ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง

ชิ้น	ต่อหน่วย	ต่อถาด*
30 - 30	THB566.593	THB16,997.79
60 - 60	THB566.059	THB16,981.77
90 +	THB565.524	THB16,965.72

*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative

RS Stock No.:: 240-0611
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:: STW75N65DM6-4
ผู้ผลิต:: STMicroelectronics

คุณสมบัติ / Specifications

ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets

Legislation and Compliance

รายละเอียดสินค้า / Product Details

ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ

เลือกทั้งหมด	คุณลักษณะ	ค่า
	Brand	STMicroelectronics
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	STW
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	45mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	118nC
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd	480W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	15.8 mm
	Height	5.1mm
	Standards/Approvals	UL
	Length	40.92mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	เลือกทั้งหมด
	Brand STMicroelectronics
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series STW
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 118nC
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Power Dissipation Pd 480W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 15.8 mm
	Height 5.1mm
	Standards/Approvals UL
	Length 40.92mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - STW75N65DM6-4

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247

ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00

ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง