STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 56 A Enhancement, 3-Pin TO-247 STWA60N043DM9
- RS Stock No.:
- 275-1383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA60N043DM9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
ยอดรวมย่อย (1 หลอด หลอดละ 30 ชิ้น)*
THB8,841.00
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB9,459.90
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 210 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย | ต่อหลอด* |
|---|---|---|
| 30 + | THB294.70 | THB8,841.00 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 275-1383
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA60N043DM9
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 56A | |
| Series | STW | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 43mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 312W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 78.6nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 56A | ||
Series STW | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 43mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 312W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 78.6nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
The STMicroelectronics N-channel power MOSFET is based on the most innovative super junction MDmesh DM9 technology, suitable for medium or high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area coupled with a fast recovery diode. The silicon based DM9 technology benefits from a multi drain manufacturing process which allows an enhanced device structure.
Fast recovery body diode
Worldwide best RDS per area among silicon based fast recovery devices
Low gate charge, input capacitance and resistance
100 percent avalanche tested
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-247 STWA60N043DM9
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-247 STWA65N023M9
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 4-Pin TO-247-4 STW65N023M9-4
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STWA32N65DM6AG
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STWA75N65DM6
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STW75N65DM6-4
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 3-Pin Hip-247 SCT025W120G3AG