STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET, 55 A, 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STWA32N65DM6AG
- RS Stock No.:
- 240-0614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA32N65DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
รูปภาพประกอบสินค้าเป็นเพียงรูปภาพใกล้เคียงเท่านั้น กรุณาอ่านรายละเอียดสินค้า
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB262.31
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB280.67
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 71 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB262.31 |
| 5 - 9 | THB257.85 |
| 10 - 14 | THB253.47 |
| 15 - 19 | THB249.17 |
| 20 + | THB244.93 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 240-0614
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- STWA32N65DM6AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | STW | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 45mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 52.6nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 25 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 15.8 mm | |
| Length | 40.92mm | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | UL | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series STW | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 45mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 52.6nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 25 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 15.8 mm | ||
Length 40.92mm | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals UL | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series, Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
AEC-Q101 qualified
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) x area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely dv/dt ruggedness
Zener-protected
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STWA75N65DM6
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-247 STW75N65DM6-4
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 4-Pin TO-247-4 STW65N023M9-4
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-247 STWA65N023M9
- STMicroelectronics STW Type N-Channel MOSFET 3-Pin TO-247 STWA60N043DM9
- Taiwan Semiconductor Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 4-Pin TO-252 TSM090N03CP ROG
- STMicroelectronics STH Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 7-Pin HU3PAK