STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET, 55 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SCT018W65G3-4AG
- RS Stock No.:
- 482-971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT018W65G3-4AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
มีส่วนลดเมื่อซื้อจำนวนมาก
ยอดรวมย่อย (1 ชิ้น)*
THB1,170.38
(ไม่รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
THB1,252.31
(รวมภาษีมูลค่าเพิ่ม)
ส่งฟรีหากซื้อเกิน ฿2,500.00
มีในสต็อก
- 600 ชิ้นพร้อมจัดส่งจากคลังสินค้าต่างประเทศ
ต้องการสินค้าเพิ่มหรือไม่ ระบุจำนวนและคลิก ‘ตรวจสอบวันจัดส่ง’ เพื่อดูข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับสต็อกสินค้าและการจัดส่ง
ชิ้น | ต่อหน่วย |
|---|---|
| 1 - 4 | THB1,170.38 |
| 5 + | THB1,135.48 |
*ตัวบ่งบอกราคา / price indicative
- RS Stock No.:
- 482-971
- หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต / Mfr. Part No.:
- SCT018W65G3-4AG
- ผู้ผลิต:
- STMicroelectronics
คุณสมบัติ / Specifications
ข้อมูลทางเทคนิค / Technical Data Sheets
Legislation and Compliance
รายละเอียดสินค้า / Product Details
ค้นหาผลิตภัณฑ์ที่คล้ายกันโดยเลือกคุณลักษณะอย่างน้อยหนึ่งรายการ
เลือกทั้งหมด | คุณลักษณะ | ค่า |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | SCT | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 4 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Height | 5.1mm | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Length | 15.9mm | |
| Width | 21.1 mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| เลือกทั้งหมด | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series SCT | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 4 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Height 5.1mm | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Length 15.9mm | ||
Width 21.1 mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SCT055W65G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SCT040W65G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin SCT027W65G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT020W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT070W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT025W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 4-Pin SCT015W120G3-4AG
- STMicroelectronics SCT Type N-Channel MOSFET 900 V Enhancement, 4-Pin SCT012W90G3-4AG